Pengetahuan

一, Logik asas penggantian domestik: pemacu dua lelaran teknologi dan tekanan pasaran 1. Jurang yang tinggi - kapasiti pengeluaran akhir telah mendorong permintaan untuk penggantian sebagai pengeluar p

一, Keperluan yang ketat untuk prestasi diod dalam pengurangan 1. Keseimbangan antara ciri -ciri kekerapan - yang tinggi dan parameter parasit dalam modul komunikasi gelombang milimeter, diod tradision

1, Permintaan Frekuensi Tinggi: Komunikasi Gelombang 5G dan Milimeter Memacu Inovasi dalam Diod RF terhadap latar belakang ketumpatan stesen pangkalan 5G mencapai 10 setiap kilometer persegi dan jalur

1, Revolusi Bahan: Membentuk semula sempadan prestasi semikonduktor bandgap yang luas silikon tradisional - diod berasaskan dibatasi oleh sifat bahan dan mengalami kemerosotan prestasi yang signifikan

一, Keperluan prestasi untuk diod dalam komunikasi gelombang milimeter Tinggi - Ciri-ciri kekerapan jalur frekuensi gelombang milimeter (panjang gelombang 1-10mm) mengenakan keperluan ketat pada diod:

Apakah arahan pembangunan diod dalam teknologi komunikasi 6g?

一, Prinsip Teknikal dan Nilai Teras Kawalan Bias Diod 1.

一, Prinsip Teknikal: Dari Ciri -ciri Komponen ke Perlindungan Tahap Sistem 1. Mekanisme perlindungan diod TVS diod penindasan sementara mencapai tindak balas tahap nanosekond melalui kesan kerosakan l

Bagaimana untuk melindungi diod bersama -sama dengan fius dalam antara muka komunikasi?

一, Ciri -ciri diod: Dasar fizikal mengehadkan litar kekonduksian unidirectional diod berasal dari ciri -ciri pengedaran pembawa persimpangan PN. Apabila voltan bias ke hadapan melebihi ambang pengalir

一, Strategi Layout Perlindungan untuk TVS Diodes 1. Pra Posisi Perlindungan Nodes TVS Diod perlu digunakan di pintu masuk isyarat untuk membentuk penghalang perlindungan pertama. Mengambil antara muka

一, Posisi fungsi teras diod dalam integrasi hibrid 1. Pembetulan isyarat dan pengesanan: Jambatan dari analog ke digital di depan RF - modul akhir, diod mencapai demodulasi isyarat melalui ciri -ciri